El MMIC s, o el circuito integrado monolítico s de la microonda del, es un tipo de dispositivos del circuito integrado (IC) que funcionen en las frecuencias (300 megaciclos a 300 gigahertz) de la microonda . realizar típicamente las funciones tales como de la microonda que mezcla, la amplificación de la energía, la amplificación de poco ruido, y la conmutación de alta frecuencia. Las entradas y las salidas en MMIC los dispositivos se emparejan con frecuencia a una impedancia característica de 50 ohmios. Esto las hace más fáciles utilizar, como la conexión en cascada de MMICs entonces no requiere una red que empareja externo. La mayoría del equipo de prueba de la microonda se diseña además para funcionar en un ambiente de 50 ohmios.

MMICs es dimensional pequeño (de alrededor 1 ² del milímetro a 10 milímetros de ²) y puede ser producido en serie, que ha permitido la proliferación de dispositivos de alta frecuencia tales como ésos utilizados en teléfonos móviles que MMICs fueron fabricados original usar el arseniuro de galio (GaAs), un elemento III-V. Tiene dos ventajas fundamentales sobre el silicio (Si), el material tradicional para la realización del IC; velocidad y un substrato semiaislante del dispositivo (transistor ). Ambos factores ayudan con el diseño de funciones de alta frecuencia del circuito. Sin embargo, la velocidad de tecnologías basadas Si ha aumentado gradualmente como tamaños de característica del transistor ha reducido y MMICs se puede ahora también fabricar en tecnología del Si. La ventaja primaria de la tecnología del Si se cuesta. Los diámetros de la oblea son más grandes (típicamente 8" o 12" comparado con 4" o 6" para el GaAs) y los costes de la oblea ser más bajo. Esto lleva a ICs mucho más baratos.

Otras tecnologías de III-V, tales como fosfuro de indio (INP), se han demostrado para ofrecer funcionamiento superior al GaAs en términos de aumento, una frecuencia de atajo, y de poco ruido más altos. Sin embargo también tienden a ser más costoso debido a tamaños más pequeños de la oblea y a fragilidad material creciente.

El germanio (SiGe) del silicio es transistores más altos de ofrecimiento basados Si de semiconductor compuesto de una velocidad de la tecnología que los dispositivos convencionales del Si pero con ventajas similares del coste.

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