La magnetorresistencia es la característica de un material para cambiar el valor de su resistencia eléctrica cuando un campo magnético externo se aplica a él. El efecto primero fue descubierto por el Guillermo Thomson (conocido más comunmente como señor Kelvin) en el 1856, pero él no podía bajar la resistencia eléctrica cualquier cosa por más el de 5%. Este efecto más adelante fue llamado magnetorresistencia ordinaria (OMR). Investigadores más recientes descubrieron los materiales que demostraban a la magnetorresistencia gigante (GMR), la magnetorresistencia colosal (CMR) y el efecto de túnel magnético (TMR).
Magnetorresistencia anisotrópica (AMR)
El Amr es la característica de un material en el cual una dependencia de la resistencia eléctrica del ángulo entre la dirección de la corriente eléctrica y la orientación del campo magnético se observe. El efecto se atribuye a una probabilidad más grande de la dispersión del s-d de electrones en la dirección del campo magnético. El efecto neto es que la resistencia eléctrica tiene valor máximo cuando la dirección de la corriente es paralela al campo magnético aplicado.En un semiconductor con un solo tipo del portador, la magnetorresistencia es proporcional a (1+ (μB ) ² del ), donde está la movilidad el μ (unidades m2 del semiconductor·V-1·s-1 o T -1) y B es el campo magnético (teslas de las unidades. El antimoniuro, un ejemplo del indio de un alto semiconductor de la movilidad, podía tener una movilidad de electrón sobre 4 m ²·V-1·s-1 en 300 K.25 El campo de T, por ejemplo el aumento de la magnetorresistencia sería 100%.
Para compensar las características y la inhabilidad no lineares de detectar la polaridad de un campo magnético, una estructura algo más compleja se utiliza para los sensores. Consiste en rayas del aluminio o del oro colocado en una película fina de la aleación de níquel e hierro (un material ferromagnético que exhibe el efecto del Amr) inclinada en ángulo de 45°. Esta estructura fuerza la corriente para no fluir a lo largo de las “hachas fáciles” de la película fina, pero en ángulo de 45°. La dependencia de la resistencia ahora tiene una compensación permanente que sea linear alrededor del punto nulo. Debido a su aspecto, este tipo del sensor se llama “el poste del peluquero”.
El efecto del Amr se utiliza en una amplia gama de los sensores para la medida del campo magnético de la tierra (compás electrónico ), porque la corriente eléctrica que mide (midiendo el campo magnético creado alrededor del conductor), para la detección del tráfico y para la detección linear de la posición y del ángulo. Los fabricantes más grandes del sensor del Amr son los semiconductores Honeywell, NXP, y Sensitec GmbH.
Ver también
magnetorresistencia gigante
Magnetorresistencia colosal ¡ geométrico del
- de la magnetorresistencia Magnetorresistencia balística -->
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